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BCR133S

更新时间： 2024-02-15 05:27:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管数字晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

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BCR133S 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.43
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.25 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

BCR133S 数据手册

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BCR 133S  
NPN Silicon Digital Transistor Array  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Two (galvanic) internal isolated Transistors  
in one package  
• Built in bias resistors (R =10kΩ, R =10kΩ)  
1
2
Type  
Marking Ordering Code Pin Configuration  
Package  
BCR 133S WCs  
Q62702-C2376 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
V
V
V
50  
V
CEO  
CBO  
EBO  
i(on)  
50  
10  
20  
DC collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 115°C  
P
250  
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
≤
Junction ambient  
R
R
275  
140  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-26-1996  
1234

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