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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 6.52 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC857BV | MCC |
功能相似  |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
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| MMBT6428LT1 | MOTOROLA |
功能相似 |
Amplifier Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCR135_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Digital Transistor |
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| BCR135E6327 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Digital Transistor |
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| BCR135E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCR135E6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCR135F | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Digital Transistor |
|
| BCR135F-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCR135F-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCR135L3 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Digital Transistor |
|
| BCR135S | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driv |
|
| BCR135S-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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