BCR112F

更新时间： 2024-02-17 10:17:42

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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR112F 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR112F 数据手册

BCR112...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =4.7kΩ, R =4.7kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR112/F/L3

BCR112T/W

BCR112U

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR112

Marking

WFs

Pin Configuration

Package

1=B

2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

BCR112F

BCR112L3

BCR112T

BCR112U

BCR112W

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

1=B 2=E 3=C SOT323

Aug-29-2003

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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