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BCR112TE6327

更新时间： 2024-11-25 15:28:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	204K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

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BCR112TE6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	20
元件数量：	1	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCR112TE6327 数据手册

BCR112...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =4.7kΩ, R =4.7kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR112/F/L3

BCR112T/W

BCR112U

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR112

Marking

WFs

Pin Configuration

Package

1=B

2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

BCR112F

BCR112L3

BCR112T

BCR112U

BCR112W

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

1=B 2=E 3=C SOT323

Aug-29-2003

12 3 4 5 6 7...9

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