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BCR112WH6327XTSA1

更新时间： 2024-01-19 17:56:59

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	837K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BCR112WH6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.68	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

BCR112WH6327XTSA1 数据手册

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BCR112...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =4.7kΩ, R =4.7kΩ)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR112

BCR112W

R₁

R₂

EHA07184

Type

BCR112

BCR112W

Marking

WFs

Pin Configuration

Package

SOT23

SOT323

1=B 2=E 3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

100

Total power dissipation-

tot

BCR112, T ≤102°C

200

250

BCR112W, T ≤124°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2011-09-15

12 3 4 5 6 7 8

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