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BCR116S

更新时间： 2024-11-24 22:48:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 492K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR116S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SOT-363
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.79其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz

BCR116S 数据手册

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BCR116.../SEMH13  
NPN Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Built in bias resistor (R =4.7kΩ, R =47kΩ)  
1
2
• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal  
isolated transistors with good matching  
in one package  
BCR116/F/L3  
BCR116T/W  
BCR116S  
SEMH13  
C
C1  
B2  
E2  
3
6
5
4
R2  
R1  
R1  
TR2  
TR1  
R1  
R2  
R2  
1
2
3
1
2
E1  
B1  
C2  
B
E
EHA07174  
EHA07184  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCR116  
WGs  
WGs  
WG  
WGs  
WGs  
WGs  
WG  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
BCR116F  
BCR116L3  
BCR116S  
BCR116T  
BCR116W  
SEMH13  
-
-
-
-
-
-
SC75  
SOT323  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666  
May-17-2004  
1
1234567...10

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BCR116S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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