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BCR116SE6327

更新时间： 2024-11-07 21:12:55

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	863K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SOT-363, 6 PIN

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BCR116SE6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR116SE6327 数据手册

BCR116...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =4.7 kΩ, R =47 kΩ)

• BCR116S: Two internally isolated

transistors with good matching

in one multichip package

• BCR116S: For orientation in reel see

package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR116

BCR116S

BCR116W

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR116

BCR116S

BCR116W

Marking

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

Package

SOT23

WGs

1=B 2=E 3=C

SOT323

2011-08-19

12 3 4 5 6 7...11

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