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BCR114F

更新时间: 2024-11-20 22:48:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 186K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

BCR114F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:ROHS COMPLIANT, TSFP-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):160 MHzBase Number Matches:1

BCR114F 数据手册

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BCR114...  
NPN Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R =4.7k, R =10k)  
1
2
BCR114/F  
BCR114L3/T  
C
3
R1  
R2  
1
2
B
E
EHA07184  
Type  
BCR114  
BCR114F  
BCR114L3  
BCR114T  
Marking  
U4s  
U4s  
U4  
U4s  
Pin Configuration  
Package  
1=B  
1=B  
1=B  
1=B  
2=E 3=C  
2=E 3=C  
2=E 3=C  
2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
SC75  
Aug-29-2003  
1

BCR114F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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