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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCR112W
BCR112W PDF预览

BCR112W

更新时间： 2024-09-16 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管数字晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit)

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BCR112W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.47
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

BCR112W 数据手册

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BCR 112W  
NPN Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, inferface circuit,  
driver circuit  
Ω
Ω
• Built in bias resistor (R =4.7k , R =4.7k )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code  
WFs Q62702-C2284  
Pin Configuration  
Package  
BCR 112W  
1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-323  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
V
V
V
50  
V
CEO  
CBO  
EBO  
i(on)  
50  
10  
15  
DC collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 124°C  
P
250  
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
≤
Junction ambient  
R
R
240  
105  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-26-1996  
1234

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BCR112W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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