BCR112T

更新时间： 2024-11-20 22:48:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR112T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

BCR112T 数据手册

BCR112...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =4.7kΩ, R =4.7kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR112/F/L3

BCR112T/W

BCR112U

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR112

Marking

WFs

Pin Configuration

Package

1=B

2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

BCR112F

BCR112L3

BCR112T

BCR112U

BCR112W

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

1=B 2=E 3=C SOT323

Aug-29-2003

12 3 4 5 6 7...9

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