BCR108S

更新时间： 2024-02-21 21:32:58

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关数字晶体管驱动
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4页	48K
描述
NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

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BCR108S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR108S 数据手册

BCR 108S

NPN Silicon Digital Transistor Array

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Two (galvanic) internal isolated Transistors

in on package

• Built in bias resistor (R =2.2kΩ, R =47kΩ)

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCR 108S WHs

Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

100

°C

Total power dissipation, T = 115°C

250

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

275

140

K/W

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm²Cu

Semiconductor Group

Nov-26-1996

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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