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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-75 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 170 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCR108TE6327 | INFINEON |
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NPN Silicon Digital Transistor |
|
| BCR108W | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir |
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| BCR108WE6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BCR108WE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCR108WE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCR108WH6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
|
| BCR108WH6433XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
|
| BCR10CM | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE |
|
| BCR10CM | POWEREX |
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Triac 10 Amperes/400-600 Volts |
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| BCR10CM12 | ETC |
获取价格 |
TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-220AB |
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