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BCR108SH6433XTMA1

更新时间： 2024-11-24 20:37:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	211K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-6

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BCR108SH6433XTMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

BCR108SH6433XTMA1 数据手册

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BCR108...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =2.2 kΩ, R =47 kΩ)

• BCR108S: Two internally isolated

transistors with good matching

in one multichip package

• BCR108S: For orientation in reel see

package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR108/F

BCR108S

BCR108T/W

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR108

BCR108F

BCR108S

BCR108W

Marking

Pin Configuration

Package

SOT23

TSFP-3

WHs

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=B 2=E 3=C

SOT323

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-07-24

12 3 4 5 6 7...12

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BCR108SH6433XTMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCR108SH6327XTSA1	INFINEON	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO

与BCR108SH6433XTMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCR108SQ62702C2414	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR DIGITAL SOT363
BCR108T	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Digital Transistor
BCR108TE6327	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Digital Transistor
BCR108W	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir
BCR108WE6327	ROCHESTER	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCR108WE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCR108WE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCR108WH6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
BCR108WH6433XTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
BCR10CM	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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