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BCR108E6433

更新时间： 2024-02-09 08:42:40

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
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11页	863K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCR108E6433 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR108E6433 数据手册

BCR108...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =2.2 kΩ, R =47 kΩ)

• BCR108S: Two internally isolated

transistors with good matching

in one multichip package

• BCR108S: For orientation in reel see

package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR108

BCR108S

BCR108W

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR108

BCR108S

BCR108W

Marking

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

Package

SOT23

WHs

1=B 2=E 3=C

SOT323

2011-08-19

12 3 4 5 6 7...11

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