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BCR103T-E6327

更新时间： 2024-11-25 03:33:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	501K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

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BCR103T-E6327 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	20
元件数量：	1	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCR103T-E6327 数据手册

BCR103...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =2.2kΩ, R =2.2kΩ)

BCR103F

BCR103L3/T

R₁

R₂

EHA07184

Type

Marking

WAs

Pin Configuration

Package

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

BCR103F

BCR103L3

BCR103T

1=B 2=E 3=C

WAs

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

100

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR103F, T ≤ 128°C

250

BCR103L3, T ≤ 135°C

BCR103T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2005-06-21

12 3 4 5 6 7...10

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