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BCR108F

更新时间： 2024-02-21 13:00:52
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 492K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR108F 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.42
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：170 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

BCR108F 数据手册

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BCR108.../SEMH10  
NPN Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Built in bias resistor (R =2.2kΩ, R =47kΩ)  
1
2
• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal  
isolated transistors with good matching  
in one package  
BCR108/F/L3  
BCR108T/W  
BCR108S  
SEMH10  
C
C1  
B2  
E2  
3
6
5
4
R2  
R1  
R1  
TR2  
TR1  
R1  
R2  
R2  
1
2
3
1
2
E1  
B1  
C2  
B
E
EHA07174  
EHA07184  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCR108  
WHs  
WHs  
WH  
WHs  
WHs  
WHs  
WH  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
BCR108F  
BCR108L3  
BCR108S  
BCR108T  
BCR108W  
SEMH10  
-
-
-
-
-
-
SC75  
SOT323  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666  
Jun-14-2004  
1
1234567...10

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