BC857B-TP

更新时间： 2024-11-29 06:41:39

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
PNP Small Signal Transistor310mW

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BC857B-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.6
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	220	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BC857B-TP 数据手册

BC856A

THRU

BC858C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Ideally Suited for Automatic Insertion

PNP Small

Signal Transistor

310mW

ꢀ

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

Mechanical Data

ꢀ Case: SOT-23, Molded Plastic

SOT-23

ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

DIMENSIONS

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

Charateristic

Symbol Value Unit

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5.0

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

.085

.37

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Suggested Solder

Pad Layout

-100

-200

310

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

I_CM

I_EM

P_d

.031

.800

.035

.900

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.079

2.000

inches

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate 0.7mm X 2.5cm²area.

2. Current gain subgroup “ C” is not available for BC856

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 5

2008/01/01

12 3

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BC857B-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC857BMTF	FAIRCHILD	功能相似	PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC857BLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors PNP Silicon
BC857BW-7-F	DIODES	功能相似	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与BC857B-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857BTPBFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC857B-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
BC857BTQ	DIODES	获取价格	PNP, 45V, 0.1A, SOT523
BC857BTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857BTR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857BTR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857BTRL	NXP	获取价格	暂无描述
BC857BTRL13	NXP	获取价格	100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857BTRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857BTRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor,

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