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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.07 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857BTR13LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC857BTRL | NXP |
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暂无描述 |
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| BC857BTRL13 | NXP |
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100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BC857BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC857BTRPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| BC857BTT1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistor PNP Silicon |
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| BC857BTT1/D | ETC |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| BC857BTT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
|
| BC857BT-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BC857BU3 | ROHM |
获取价格 |
BC857BU3是一款用于小信号低频放大的双极晶体管。 |
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