5秒后页面跳转
BC857BV PDF预览

BC857BV

更新时间: 2024-09-13 22:54:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
PNP general purpose double transistor

BC857BV 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:1.60 X 1.20 MM, 0.55 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.08
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC857BV 数据手册

 浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC857BV  
PNP general purpose double  
transistor  
Product specification  
2001 Nov 07  
Supersedes data of 2001 Sep 10  

BC857BV 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC857BS NXP

完全替代

PNP general purpose double transistor
BC857BV,115 NXP

类似代替

BC857BV - PNP general purpose double transistor SOT 6-Pin
BC857BS,115 NXP

功能相似

BC857BS - 45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor TSSOP 6-Pin

与BC857BV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BV,115 NXP

获取价格

BC857BV - PNP general purpose double transistor SOT 6-Pin
BC857BV_09 DIODES

获取价格

PNP DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC857BV_11 MCC

获取价格

PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC857BV-7 DIODES

获取价格

PNP DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC857BV-7-F DIODES

获取价格

Transistor
BC857BVP MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC857BV-TP MCC

获取价格

PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC857BW KEXIN

获取价格

PNP General Purpose Transistor
BC857BW NXP

获取价格

PNP general purpose transistors
BC857BW TYSEMI

获取价格

Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).