5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.07 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857BTRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BC857BTT1 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
|
| BC857BTT1/D | ETC |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| BC857BTT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
|
| BC857BT-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BC857BU3 | ROHM |
获取价格 |
BC857BU3是一款用于小信号低频放大的双极晶体管。 |
|
| BC857BU3HZG | ROHM |
获取价格 |
本产品是小信号低频放大用晶体管。与BC847BU3HZG互补。是符合AEC-Q101标准的 |
|
| BC857BU3HZGT106 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BC857BV | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
|
| BC857BV | HTSEMI |
获取价格 |
DUAL TRANSISTOR (PNP) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
