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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857BTRL | NXP |
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暂无描述 |
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| BC857BTRL13 | NXP |
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100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BC857BTRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC857BTRPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| BC857BTT1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistor PNP Silicon |
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| BC857BTT1/D | ETC |
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General Purpose Transistor |
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| BC857BTT1G | ONSEMI |
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General Purpose Transistor PNP Silicon |
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| BC857BT-TP-HF | MCC |
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暂无描述 |
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| BC857BU3 | ROHM |
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BC857BU3是一款用于小信号低频放大的双极晶体管。 |
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| BC857BU3HZG | ROHM |
获取价格 |
本产品是小信号低频放大用晶体管。与BC847BU3HZG互补。是符合AEC-Q101标准的 |
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