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BC857BV,115

更新时间: 2024-11-05 14:49:39
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 66K
描述
BC857BV - PNP general purpose double transistor SOT 6-Pin

BC857BV,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT包装说明:1.60 X 1.20 MM, 0.55 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.31
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857BV,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC857BV  
PNP general purpose double  
transistor  
Product data sheet  
2001 Nov 07  
Supersedes data of 2001 Aug 10  

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