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BC857BV_11 PDF预览

BC857BV_11

更新时间： 2024-11-05 08:49:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 206K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BC857BV_11 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BC857BV  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
·
·
•
•
•
•
Epitaxial Die Construction  
Complementary NPN Type Available (BC847BV)  
Ultra-small Surface Mount Package  
Marking:K5V  
SOT-563  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
-45  
-50  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
-5  
-0.1  
0.15  
833  
PC  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
-45  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-1uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-2mAdc, VCE=-5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-0.5mAdc)  
(IC=-100mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-0.5mAdc)  
(IC=-100mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-2mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc)  
Transition Frequency  
(VCE=-5Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-10Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
-50  
-6  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
---  
-15  
475  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
hFE  
200  
.020  
0.50  
VCE(sat)  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
---  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
---  
---  
-0.7  
-0.9  
---  
---  
VBE  
-0.6  
---  
---  
---  
-0.75  
-0.82  
fT  
100  
---  
---  
---  
---  
MHz  
pF  
Cob  
4.5  
NF  
(VCE=-5V,IC=-0.2mA, f=1KHz, RS=2k=,  
---  
---  
10  
dB  
BW=200Hz)  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与BC857BV_11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BV-7 DIODES

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 		PNP DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC857BV-7-F DIODES

获取价格

 		Transistor
BC857BVP MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC857BV-TP MCC

获取价格

 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC857BW KEXIN

获取价格

 		PNP General Purpose Transistor
BC857BW NXP

获取价格

 		PNP general purpose transistors
BC857BW TYSEMI

获取价格

 		Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).
BC857BW SECOS

获取价格

 		BC856AW
BC857BW MCC

获取价格

 		PNP General Purpose Transistors
BC857BW CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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