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BC857BW-AH

更新时间： 2024-11-24 14:53:43

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先科 - SWST		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	781K
描述
小信号晶体管

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BC857BW-AH 数据手册

BC856W…BC860W-AH

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Applications

• For general purpose and switching applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

BC856W

BC857W

BC858W

BC859W

BC860W

Collector Emitter Voltage

BC856W

BC857W

BC858W

BC859W

BC860W

-V_CEO

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_EBO

-I_C

100

Peak Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

-I_CM

P_tot

T_j

200

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 30/09/2022 Rev: 01

12 3 4 5

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