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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857BV-TP
BC857BV-TP PDF预览

BC857BV-TP

更新时间： 2024-11-30 06:41:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 105K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BC857BV-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.51
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC857BV-TP 数据手册

 浏览型号BC857BV-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857BV-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BC857BV  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
•
•
•
•
x
Epitaxial Die Construction  
Complementary NPN Type Available (BC847BV)  
Ultra-small Surface Mount Package  
Lead Free Plating  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
x
Marking:K5V  
SOT-563  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
-45  
-50  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
-5  
-0.1  
0.15  
833  
PC  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
-45  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-1uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-2mAdc, VCE=-5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-0.5mAdc)  
(IC=-100mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-0.5mAdc)  
(IC=-100mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-2mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc)  
Transition Frequency  
(VCE=-5Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-10Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
-50  
-6  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
---  
-15  
475  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
hFE  
200  
.020  
0.50  
VCE(sat)  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
---  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
---  
---  
-0.7  
-0.9  
---  
---  
VBE  
-0.6  
---  
---  
---  
-0.75  
-0.82  
fT  
100  
---  
---  
---  
---  
MHz  
pF  
Cob  
4.5  
NF  
(VCE=-5V,IC=-0.2mA, f=1KHz, RS=2k=,  
---  
---  
10  
dB  
BW=200Hz)  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2008/01/01  
123

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BC857BV-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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