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BC857BW-7 PDF预览

BC857BW-7

更新时间： 2024-11-22 22:22:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC857BW-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.03最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：220JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

BC857BW-7 数据手册

 浏览型号BC857BW-7的Datasheet PDF文件第2页 
BC856AW - BC858CW  
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
Features  
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
SOT-323  
Complementary NPN Types Available  
(BC846W-BC848W)  
Dim  
A
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
A
C
·
For Switching and AF Amplifier Applications  
B
Mechanical Data  
C
B
C
·
·
Case: SOT-323, Molded Plastic  
D
0.65 Nominal  
B
E
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
G
H
G
H
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method K  
208  
M
J
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
J
·
·
Pin Connections: See Diagram  
L
D
F
L
Marking Code: See Table Below & Diagram  
on Page 2  
M
a
·
·
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Approx. Weight: 0.006 grams  
Marking Code (Note 2)  
All Dimensions in mm  
Type  
Marking  
K3A  
Type  
Marking  
K3G  
BC856AW  
BC856BW  
BC857AW  
BC857BW  
BC857CW  
BC858AW  
BC858BW  
BC858CW  
K3B  
K3J, K3A, K3V  
K3K, K3B, K3W  
K3L, K3G  
K3V, K3A  
K3W, K3B  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
-80  
-50  
-30  
Collector-Base Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCBO  
V
-65  
-45  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
BC856  
BC857  
BC858  
VCEO  
V
VEBO  
IC  
-5.0  
-100  
V
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
ICM  
Peak Collector Current  
-200  
IEM  
Peak Emitter Current  
-200  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
200  
RqJA  
Tj, TSTG  
625  
-65 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856W.  
DS30251 Rev. A-2  
1 of 2  
BC856AW - BC858CW  
12

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BC857BW-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC857BW-7-F DIODES

类似代替

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