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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857BV-7
BC857BV-7 PDF预览

BC857BV-7

更新时间： 2024-09-15 03:08:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 348K
描述
PNP DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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BC857BV-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.51
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：220
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC857BV-7 数据手册

 浏览型号BC857BV-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857BV-7的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: BC857BV  
BC857BV  
PNP DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT  
TRANSISTOR  
Pb  
Lead-free  
Features  
·
Epitaxial Die Construction  
A
·
Complementary NPN Types Available  
(BC847BV)  
B
2
C
E
2
1
SOT-563  
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
B
C
K5V YM  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)  
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
E
B
C
2
1
1
D
Mechanical Data  
G
·
Case: SOT-563  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
0.11  
M
K
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
H
L
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
SEE NOTE 1  
M
All Dimensions in mm  
·
·
·
Marking (See Page 2): K5V  
C1  
B2  
E2  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.003 grams (approximate)  
E1  
B1  
C2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-50  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
-45  
-5.0  
V
-100  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
Power Dissipation (Note 2)  
150  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
833  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
1. Package is non-polarized. Parts may be on reel in orientation illustrated, 180° rotated, or mixed (both ways).  
2. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. No purposefully added lead.  
DS30433 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
BC857BV  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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与BC857BV-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BV-7-F DIODES

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 		Transistor
BC857BVP MCC

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 		Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
BC857BV-TP MCC

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 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC857BW KEXIN

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 		PNP General Purpose Transistor
BC857BW NXP

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 		Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).
BC857BW SECOS

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 		BC856AW
BC857BW MCC

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 		PNP General Purpose Transistors
BC857BW CENTRAL

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BC857BW INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain

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