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BC857BW

更新时间: 2024-02-02 06:46:22
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 132K
描述
PNP general purpose transistors

BC857BW 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857BW 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC856W; BC857W; BC858W  
PNP general purpose transistors  
Product data sheet  
2002 Feb 04  
Supersedes data of 1999 Apr 12  

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