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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC857BWT1G
BC857BWT1G PDF预览

BC857BWT1G

更新时间： 2024-11-19 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 181K
描述
PNP Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL

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BC857BWT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.64最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：220JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC857BWT1G 数据手册

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by BC856AWT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is  
designed for low power surface mount applications.  
1
Motorola Preferred Devices  
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856 BC857 BC858  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
V
V
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
CASE 419–02, STYLE 3  
SOT–323/SC–70  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
P
D
150  
mW  
T
A
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
833  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC856AWT1 = 3A; BC856BWT1 = 3B; BC857AWT1 = 3E; BC857BWT1 = 3F;  
BC858AWT1 = 3J; BC858BWT1 = 3K; BC858CWT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 µA, V  
C
= 0)  
EB  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –1.0 A)  
E
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current (V  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 V)  
= –30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
–15  
–4.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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BC857BWT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SBC857BWT1G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors
BC857BWT1 ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC857BWT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857BWT3 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC857BW-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC857C TRSYS

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857C DIOTEC

获取价格

 		Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC857C FAIRCHILD

获取价格

 		PNP General Purpose Amplifier
BC857C MCC

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 		PNP Small Signal Transistor 310mW
BC857C TSC

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 		0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC857C HTSEMI

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 		TRANSISTOR (PNP)
BC857C RECTRON

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 		SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
BC857C KEXIN

获取价格

 		PNP Transistor

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