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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857BWT/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
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| BC857BWT1 | MOTOROLA |
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CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 |
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| BC857BWT1 | LRC |
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General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
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| BC857BWT1 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
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| BC857BWT1G | ONSEMI |
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PNP Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL |
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| BC857BWT3 | MOTOROLA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC857BW-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC857C | TRSYS |
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PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BC857C | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC857C | FAIRCHILD |
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PNP General Purpose Amplifier |
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