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BC857BWT1

更新时间： 2024-01-16 00:49:59

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	215K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC857BWT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.64	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	220	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC857BWT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

PNP Silicon

BC856AWT1, BWT1

BC857AWT1, BWT1

BC858AWT1, BWT1

These transistors are designed for general purpose

amplifier applications. They are housed in the SOT–323/

SC–70 which is designed for low power surface mount

COLLECTOR

applications.

CWT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC856

–65

BC857

BC858

–30

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

–45

–50

CASE 419–02, STYLE 3

–80

–30

SOT– 323 / SC-70

–5.0

–100

–5.0

–100

–5.0

–100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

150

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

833

°C/W

°C

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

BC856AWT1 = 3A; BC856BWT1 = 3B; BC857AWT1 = 3E; BC857BWT1 = 3F;

BC858AWT1 = 3J; BC858BWT1 = 3K; BC858CWT1 = 3L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= –10 mA)

BC856 Series

BC857 Series

BC858 Series

BC856 Series

BC857 Series

BC858 Series

– 65

– 45

– 30

– 80

– 50

– 30

– 80

– 50

– 30

– 5.0

—

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)CBO

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

—

(I_C= –10 µA, V_EB= 0)

—

Collector–Base Breakdown Voltage BC856 Series

—

(I_C= – 10 µA)

BC857 Series

BC858 Series

BC856 Series

BC857 Series,

BC858 Series

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

—

(I_E= – 1.0 µA)

V _(BR)EBO

—

Collector Cutoff Current (V_CB= – 30 V)

(V_CB= – 30 V, T_A= 150°C)

– 15

– 4.0

I _CBO

—

µA

1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in

K5–1/5

12 3 4 5

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与BC857BWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857BWT1G	ONSEMI	获取价格	PNP Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL
BC857BWT3	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC857BW-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC857C	TRSYS	获取价格	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857C	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC857C	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
BC857C	MCC	获取价格	PNP Small Signal Transistor 310mW
BC857C	TSC	获取价格	0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC857C	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (PNP)
BC857C	RECTRON	获取价格	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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