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BAW101E6433

更新时间： 2024-10-04 14:47:59

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英飞凌 - INFINEON		测试光电二极管
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5页	57K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 40V V(RRM), Silicon,

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BAW101E6433 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.48	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	50 µA	最大反向恢复时间：	1 µs
反向测试电压：	250 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAW101E6433 数据手册

BAW101...

Silicon Switching Diode

• Electrically insulated high-voltage

medium-speed diodes

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAW101

Type

BAW101

Package

Configuration

Marking

SOT143

parallel

JPs

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

300

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

300

250

500

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

Non-repetitive peak surge forward current

Total power dissipation

500

4.5

FSM

350

°C

tot

T ≤ 35°C

150

Junction temperature

Storage temperature

stg

-65 ... 150

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-04-20

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