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BAW101E6433

更新时间: 2024-11-13 14:47:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 40V V(RRM), Silicon,

BAW101E6433 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.48配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:50 µA最大反向恢复时间:1 µs
反向测试电压:250 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

BAW101E6433 数据手册

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BAW101...  
Silicon Switching Diode  
Electrically insulated high-voltage  
medium-speed diodes  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
BAW101  
4
3
D
1
D
2
1
2
Type  
BAW101  
Package  
Configuration  
Marking  
SOT143  
parallel  
JPs  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
300  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
300  
RM  
250  
mA  
I
F
500  
Peak forward current  
Peak forward current  
Surge forward current, t = 1 µs  
Non-repetitive peak surge forward current  
Total power dissipation  
I
FM  
I
500  
4.5  
-
mA  
A
FM  
I
FS  
I
FSM  
350  
mW  
°C  
P
tot  
T 35°C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
stg  
-65 ... 150  
1Pb-containing package may be available upon special request  
2007-04-20  
1

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