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BAW101S

更新时间： 2024-11-14 11:15:35

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	220K
描述
High voltage double diodeProduction

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BAW101S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-88, 6 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.35 W	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAW101S 数据手册

BAW101S

High voltage double diode

1 October 2022

Product data sheet

1. General description

The BAW101S is a high-speed switching diode array with two separate dice, fabricated in planar

technology and encapsulated in a small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Small plastic SMD package

•

High switching speed: max. 50 ns

High continuous reverse voltage: 300 V

Electrically insulated diodes

3. Applications

•

High voltage switching

Automotive

Communication

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

I_F

forward current

reverse voltage

single diode loaded

[1]

250

300

V_R

t_rr

reverse recovery time I_F= 30 mA; I_R= 30 mA; R_L= 100 Ω;

T_j= 25 °C; measured at I_R= 3 mA

[1] Device mounted on an FR4 printed-circuit board, cathode-lead mounting pad = 1 cm².

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

anode 1

Simplified outline

Graphic symbol

n.c.

not connected

cathode 2

anode 2

n.c.

no connection

cathode 1

TSSOP6 (SOT363)

aaa-033905

12 3 4 5 6 7...9

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