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BAW156

更新时间： 2023-09-03 20:28:42

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	201K
描述
Low-leakage double diodeProduction

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BAW156 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
参考标准：	IEC-134	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	3 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAW156 数据手册

BAW156

Low-leakage double diode

2 October 2020

Product data sheet

1. General description

Epitaxial, medium-speed switching, double diode in a small SOT23 plastic SMD package. The

diodes are in common anode configuration.

2. Features and benefits

•

Plastic SMD package

•

Low leakage current: typ. 3 pA

Switching time: typ. 0.8 µs

Continuous reverse voltage: max. 75 V

Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V

Repetitive peak forward current: max. 500 mA.

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low-leakage current applications in surface mounted circuits.

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Per diode

V_R

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse voltage

reverse current

T_j= 25 °C

I_R

V_R= 75 V; pulsed; T_j= 25 °C

0.003

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

Simplified outline

Graphic symbol

cathode (diode 1)

cathode (diode 2)

common anode

SOT23

aaa-032327

12 3 4 5 6 7...10

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