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BAW156DW

更新时间： 2024-01-13 14:30:42

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强茂 - PANJIT		二极管开关光电二极管
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3页	146K
描述
SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES

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BAW156DW 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	3 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAW156DW 数据手册

BAS116TW/BAW156DW/BAV170DW/BAV199S

SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES

100 Volts

200mWatts

VOLTAGE

POWER

FEATURES

• Suface mount package ideally suited for automatic insertion.

• Very low leakage current. 2nA typical at VR=75V.

• Low capacitance. 2pF max at VR=0V, f=1MHz

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: SOT-363 plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx weight: 0.008 gram

• Marking: BAS116TW :PA,BAW156DW :P4,BAV170DW :P3,BAV199S :PB

ABSOLUTE RATINGS (each diode)

PA RA ME TE R

S ymbol

Value

Uni ts

Reverse Voltage

V R

P eak Reverse Voltage

100

0.2

4 .0

C onti nuous Forward C urrent

Non-repeti ti ve P eak Forward S urge C urrent at t=1.0us

I FS M

THERMALCHARACTERISTICS

PA RA ME TE R

S ymbol

Value

200

Uni ts

P ower D i ssi pati on (Note 1)

P TOT

Thermal Resi stance, Juncti on to A mbi ent (Note 1)

Juncti on Temperature

Rθ^JA

625

^OC /W

^OC

-55 to 150

S torage Temperature

S TG

^OC

NOTE:

1. FR-4 Board = 70 x 60 x 1mm.

Fig.48

Fig.52

Fig.51

BAW156DW

Fig.32

BAS116TW

BAV170DW

BAV199S

REV.0.1-FEB.11.2009

PAGE . 1

12 3

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