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BAW101S

更新时间: 2024-11-13 03:21:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
10页 52K
描述
High voltage double diode

BAW101S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88
包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.56
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V最大反向电流:50 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs反向测试电压:250 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30

BAW101S 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAW101S  
High voltage double diode  
Product specification  
2003 May 13  

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