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BAW101

更新时间: 2024-11-14 02:57:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 136K
描述
High voltage double diode

BAW101 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.37Is Samacsys:N
外壳连接:CATHODE配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:300 V
最大反向电流:50 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
反向测试电压:250 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

BAW101 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BAW101  
High voltage double diode  
Product data sheet  
2003 May 13  

与BAW101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAW101,215 NXP

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0.25 A, 300 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-143, 4 PIN
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