是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
Factory Lead Time: | 19 weeks | 风险等级: | 5.6 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW LEAKAGE CURRENT |
应用: | HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY | 最小击穿电压: | 250 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.25 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 1.7 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.4 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散: | 0.35 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 250 V |
最大反向电流: | 0.1 µA | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
反向测试电压: | 200 V | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV23AQ-7-F | DIODES |
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SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE | |
BAV23A-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKSGE-3 | |
BAV23A-TP-HF | MCC |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon, | |
BAV23C | NXP |
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Dual high-voltage switching diodes | |
BAV23C | SECOS |
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Plastic Encapsulated Schottky Diode | |
BAV23C | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
BAV23C | DIODES |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE | |
BAV23C | HDSEMI |
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SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes | |
BAV23C | NEXPERIA |
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Dual high-voltage switching diodesProduction | |
BAV23C | MCC |
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350mW Small Signal Diode |