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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 19 weeks | 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY | 最小击穿电压： | 250 V |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 1.7 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.4 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 250 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 反向测试电压： | 200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV23A-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKSGE-3 |
|
| BAV23A-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| BAV23C | NXP |
获取价格 |
Dual high-voltage switching diodes |
|
| BAV23C | SECOS |
获取价格 |
Plastic Encapsulated Schottky Diode |
|
| BAV23C | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| BAV23C | DIODES |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
|
| BAV23C | HDSEMI |
获取价格 |
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes |
|
| BAV23C | NEXPERIA |
获取价格 |
Dual high-voltage switching diodesProduction |
|
| BAV23C | MCC |
获取价格 |
350mW Small Signal Diode |
|
| BAV23C | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diode, Dual |
|
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