是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.6 |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.225 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.35 W | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV23C | NXP |
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Dual high-voltage switching diodes | |
BAV23C | SECOS |
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Plastic Encapsulated Schottky Diode | |
BAV23C | KEC |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
BAV23C | DIODES |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE | |
BAV23C | HDSEMI |
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SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes | |
BAV23C | NEXPERIA |
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Dual high-voltage switching diodesProduction | |
BAV23C | MCC |
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350mW Small Signal Diode | |
BAV23C | VISHAY |
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Small Signal Switching Diode, Dual | |
BAV23C | CJ |
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SOT-23 | |
BAV23C | YANGJIE |
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SOT-23 |