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BAV23C,215

更新时间: 2024-11-18 19:57:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 110K
描述
BAV23 series - Dual high-voltage switching diodes TO-236 3-Pin

BAV23C,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:7.7配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.225 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W最大重复峰值反向电压:250 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAV23C,215 数据手册

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BAV23 series  
Dual high-voltage switching diodes  
Rev. 07 — 19 March 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Dual high-voltage switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
Configuration  
JEDEC  
TO-236AB  
TO-236AB  
TO-236AB  
-
BAV23A  
BAV23C  
BAV23S  
BAV23  
SOT23  
SOT23  
SOT23  
SOT143B  
dual common anode  
dual common cathode  
dual series  
dual isolated  
1.2 Features and benefits  
High switching speed: trr 50 ns  
Low leakage current  
Low capacitance: Cd 2 pF  
Small SMD plastic package  
Repetitive peak reverse voltage:  
VRRM 250 V  
1.3 Applications  
High-speed switching at high voltage  
High-voltage general-purpose switching  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
Per diode  
IR  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
reverse current  
VR = 200 V  
-
-
-
-
-
-
100  
200  
50  
nA  
V
VR  
reverse voltage  
[1]  
trr  
reverse recovery time  
ns  
[1] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 ; measured at IR = 1 mA.  
 
 
 
 
 
 

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