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BAV23C

更新时间: 2024-05-23 22:22:15
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友台半导体 - UMW 开关二极管
页数 文件大小 规格书
3页 455K
描述
开关二极管

BAV23C 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.11配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.225 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:250 V最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

BAV23C 数据手册

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R
UMW BAV23A/C/S  
UMW  
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors  
SWITCHING DIODE  
BAV23A/C/S  
SOT-23  
FEATURES  
z
z
z
Fast Switching Speed  
High Conductance  
For General Purpose Switching Applications  
BAV23A  
BAV23C  
BAV23S  
MARKING: KT7  
MARKING: KT6  
MARKING:KL31  
KT7  
KT6  
KL31  
Solid dot = Green molding compound device,  
the normal device  
if none,  
KT7  
KT6  
KL31  
MAXIMUM RATINGS ( Ta=25unless otherwise noted )  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
VRRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
V
250  
VRWM  
Working Peak Reverse Voltage  
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
175  
225  
V
mA  
A
Average Rectified Output Current  
IFSM  
1.7  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms  
Power Dissipation  
PD  
RΘJA  
Tj  
350  
mW  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
Junction Temperature  
357  
150  
Storage Temperature  
-55~+150  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25unless otherwise specified)  
Parameter  
Reverse voltage  
Reverse current  
Symbol  
V(BR)  
IR  
Test conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
IR=100μA  
VR=250V  
IF=100mA  
250  
0.1  
1
μA  
Forward voltage  
VF  
V
IF=200mA  
1.25  
5
Total capacitance  
Ctot  
trr  
VR=0V,f=1MHz  
pF  
ns  
Reverse recovery time  
IF= IR=30mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω  
50  
www.umw-ic.com  
1
友台半导体有限公司  

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