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BAV23C

更新时间: 2024-11-18 08:48:59
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KEC 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

BAV23C 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SOT-23, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.14
Is Samacsys:N配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.225 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:250 V最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAV23C 数据手册

 浏览型号BAV23C的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
BAV23C  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
TECHNICAL DATA  
High Voltage Switching.  
FEATURES  
E
L
B
L
· Low Leakage Current.  
DIM  
A
MILLIMETERS  
_
· Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM250V.  
· Low Capacitance : CT2pF.  
+
2.93 0.20  
B
C
D
E
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
2
3
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
1
G
H
J
0.95  
0.13+0.10/-0.05  
K
L
0.00 ~ 0.10  
0.55  
P
P
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
M
N
P
CHARACTERISTIC  
Maximum (Peak) Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
M
VRM  
VR  
250  
200  
3
V
1. ANODE 1  
2. ANODE 2  
3. CATHODE  
IFM  
Maximum (Peak) Forward Current  
625  
mA  
2
1
Single diode loaded.  
225  
IF  
Forward Current  
mA  
Double diode loaded.  
t = 1μs  
125  
9
A
A
SOT-23  
Surge Current  
(Square wave)  
IFSM  
3
t = 100μs  
t = 10ms  
1.7  
A
PD  
Tj  
Power Dissipation  
250*  
150  
mW  
Marking  
Lot No.  
Junction Temperature  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55150  
Type Name  
U 4  
Note : * Device mounted on a FR4 Printed-Circuit Board (PCB)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.0  
UNIT  
V
IF=100mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VF  
Forward Voltage  
IF=200mA  
1.25  
0.1  
VR=200V  
IR  
Reverse Current  
μA  
VR=200V, Tj=150℃  
VR=0V, f=1MHz  
IF=10mA, IR=10mA, IRM=1mA  
100  
2
CT  
trr  
Total Capacitance  
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
50  
2009. 5. 15  
Revision No : 1  
1/2  

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