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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV23A-TP
BAV23A-TP PDF预览

BAV23A-TP

更新时间： 2024-02-09 12:01:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 信号二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 223K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKSGE-3

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BAV23A-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6二极管类型：RECTIFIER DIODE
湿度敏感等级：1Base Number Matches：1

BAV23A-TP 数据手册

 浏览型号BAV23A-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV23A-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BAV23/A/C/S  
Features  
350mW  
Small Signal Diode  
•
Fast Switching Speed  
•
Operating and storage junction temperature range -65OC To 150OC  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisture Sensitivity Level 1  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Symbol  
VBR  
Parameter  
Rating  
Unit  
V
A
D
Reverse Breakdown Vlotage @ IR=100uA  
250  
200  
Continuous Reverse Voltage  
VR  
V
C
B
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
141  
V
Forward DC Current at Tamb=25OC  
225  
mA  
F
E
IFM  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Power Dissipation  
357  
350  
ꢀC/W  
mW  
Pd  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
@ t = 1.0ꢁs  
@ t = 100ꢁs  
G
H
J
9.0  
3.0  
IFSM  
A
K
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VF  
Parameter  
Forward Voltage  
Min  
---  
---  
Typ Max Units  
F
(IF=100mA)  
(IF=200mA)  
---  
---  
1.00  
1.25  
G
H
J
V
.085  
.37  
IR  
Leakage Current  
(VR=250V)  
K
---  
---  
---  
5
100  
---  
nA  
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
C
Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
Reverse Recovery Time  
tot  
pF  
ns  
trr  
(I =30mA, IR=30mA)  
F
---  
---  
50  
(Irr=3.0mA, R =100OHMS)  
.035  
.900  
L
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
BAV23A Marking : KT7  
BAV23C Marking : KT6  
BAV23S Marking : KL31  
w w w.m c c s e m i.c o m  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  
123

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BAV23A-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV23A NEXPERIA

功能相似

 Dual high-voltage switching diodesProduction
BAV23A MCC

功能相似

 350mW Small Signal Diode

与BAV23A-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV23A-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon,
BAV23C NXP

获取价格

 		Dual high-voltage switching diodes
BAV23C SECOS

获取价格

 		Plastic Encapsulated Schottky Diode
BAV23C KEC

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
BAV23C DIODES

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAV23C HDSEMI

获取价格

 		SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV23C NEXPERIA

获取价格

 		Dual high-voltage switching diodesProduction
BAV23C MCC

获取价格

 		350mW Small Signal Diode
BAV23C VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode, Dual
BAV23C CJ

获取价格

 		SOT-23

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