BAV23A-TP

更新时间： 2024-11-18 13:05:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		信号二极管 PC
页数	文件大小	规格书
3页	223K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKSGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAV23A-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.41	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.225 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV23A-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

BAV23/A/C/S

Features

350mW

Small Signal Diode

•

Fast Switching Speed

•

Operating and storage junction temperature range -65^OC To 150^OC

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

SOT-23

Maximum Ratings

Symbol

VBR

Parameter

Rating

Unit

Reverse Breakdown Vlotage @ IR=100uA

250

200

Continuous Reverse Voltage

V_R

V_R(RMS)

RMS Reverse Voltage

141

Forward DC Current at Tamb=25^OC

225

I_FM

R_qJA

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Power Dissipation

357

350

ꢀC/W

P_d

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

@ t = 1.0ꢁs

@ t = 100ꢁs

9.0

3.0

I^FSM

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_F

Parameter

Forward Voltage

Min

---

Typ Max Units

(I_F=100mA)

(I_F=200mA)

---

1.00

1.25

.085

.37

I_R

Leakage Current

(V_R=250V)

---

100

---

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

Capacitance

(V_R=0, f=1.0MHz)

Reverse Recovery Time

tot

t_rr

(I =30mA, I_R=30mA)

---

(Irr=3.0mA, R =100OHMS)

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

BAV23A Marking : KT7

BAV23C Marking : KT6

BAV23S Marking : KL31

w w w.m c c s e m i.c o m

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

BAV23A-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAV23A	NEXPERIA	功能相似	Dual high-voltage switching diodesProduction
BAV23A	MCC	功能相似	350mW Small Signal Diode

与BAV23A-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV23A-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 200V V(RRM), Silicon,
BAV23C	NXP	获取价格	Dual high-voltage switching diodes
BAV23C	SECOS	获取价格	Plastic Encapsulated Schottky Diode
BAV23C	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
BAV23C	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAV23C	HDSEMI	获取价格	SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV23C	NEXPERIA	获取价格	Dual high-voltage switching diodesProduction
BAV23C	MCC	获取价格	350mW Small Signal Diode
BAV23C	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diode, Dual
BAV23C	CJ	获取价格	SOT-23

与BAV23A-TP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAV23A-TP

BAV23A-TP 技术参数

BAV23A-TP 数据手册

BAV23A-TP 替代型号

与BAV23A-TP相关器件

与BAV23A-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAV23A-TP

BAV23A-TP 技术参数

BAV23A-TP 数据手册

BAV23A-TP 替代型号

与BAV23A-TP相关器件

与BAV23A-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？