BAV23A

更新时间： 2024-11-18 12:50:11

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美微科 - MCC		信号二极管 PC
页数	文件大小	规格书
3页	223K
描述
350mW Small Signal Diode

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BAV23A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.32	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.225 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAV23A 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

BAV23/A/C/S

Features

350mW

Small Signal Diode

•

Fast Switching Speed

•

Operating and storage junction temperature range -65^OC To 150^OC

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

SOT-23

Maximum Ratings

Symbol

VBR

Parameter

Rating

Unit

Reverse Breakdown Vlotage @ IR=100uA

250

200

Continuous Reverse Voltage

V_R

V_R(RMS)

RMS Reverse Voltage

141

Forward DC Current at Tamb=25^OC

225

I_FM

R_qJA

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Power Dissipation

357

350

ꢀC/W

P_d

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

@ t = 1.0ꢁs

@ t = 100ꢁs

9.0

3.0

I^FSM

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_F

Parameter

Forward Voltage

Min

---

Typ Max Units

(I_F=100mA)

(I_F=200mA)

---

1.00

1.25

.085

.37

I_R

Leakage Current

(V_R=250V)

---

100

---

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

Capacitance

(V_R=0, f=1.0MHz)

Reverse Recovery Time

tot

t_rr

(I =30mA, I_R=30mA)

---

(Irr=3.0mA, R =100OHMS)

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

BAV23A Marking : KT7

BAV23C Marking : KT6

BAV23S Marking : KL31

w w w.m c c s e m i.c o m

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

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BAV23A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAV23A	NXP	功能相似	Dual high-voltage switching diodes
BAV23A-7-F	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

与BAV23A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV23A,215	NXP	获取价格	BAV23 series - Dual high-voltage switching diodes TO-236 3-Pin
BAV23A_08	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAV23A_1	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAV23A_11	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE
BAV23A_18	HDSEMI	获取价格	SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV23A-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.4A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
BAV23A-13-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE
BAV23A-400MA-SOT-23	DGNJDZ	获取价格	SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV23A-7-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAV23ACS_13	MCC	获取价格	350mW Small Signal Diode

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