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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.75 V | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 10 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.25 A | 最大重复峰值反向电压： | 110 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS31,215 | NXP |
获取价格 |
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin |
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| BAS31,235 | NXP |
获取价格 |
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin |
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| BAS31/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
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| BAS31_1 | FAIRCHILD |
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Small Signal Diode |
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| BAS31_D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN |
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| BAS31-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| BAS31212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAS316 | LGE |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diodes |
|
| BAS316 | TYSEMI |
获取价格 |
Very small plastic SMD package, High switching speed: max. 4 ns |
|
| BAS316 | SECOS |
获取价格 |
Surface Mount Switching Diode |
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