是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-236 | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 7.9 | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.25 V | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 3 A |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.25 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 110 V | 最大反向电流: | 0.1 µA |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAS31T/R | NXP |
类似代替 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAS31,235 | NXP |
类似代替 |
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS31,235 | NXP |
获取价格 |
BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin | |
BAS31/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAS31_1 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Diode | |
BAS31_D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN | |
BAS31-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAS31212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
BAS316 | LGE |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diodes | |
BAS316 | TYSEMI |
获取价格 |
Very small plastic SMD package, High switching speed: max. 4 ns | |
BAS316 | SECOS |
获取价格 |
Surface Mount Switching Diode | |
BAS316 | MCC |
获取价格 |
High Speed Switching Diode 400mW |