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BAS16LT1

更新时间： 2024-11-18 12:51:47

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KISEMICONDUCTOR		二极管
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描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

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BAS16LT1 数据手册

KI SEMICONDUCTOR CO.

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

BAS16LT1

SWITCHING DIODE

SOT-23

FEATURES

Power dissipation

P_D:

225 mW (Tamb=25℃)

Forward Current

I_F:

Reverse Voltage

V_R:

200 m A

2. 4

1. 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

Marking A6

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

I_R= 100µA

V_R=75V

µA

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

715

855

V_F

Forward voltage

1000

1250

C_D

t _{r r}

V_R=0V, f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

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