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BAS16QA

更新时间： 2024-10-01 21:07:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	274K
描述
SIGNAL DIODE

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BAS16QA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-N3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.57
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.29 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.305 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS16QA 数据手册

BAS16QA

Single high-speed switching diode

4 May 2016

Product data sheet

1. General description

Single high-speed switching diode encapsulated in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

•

Low leakage current: I_R≤ 0.5 µA

Reverse voltage V_R≤ 100 V

Low capacitance C_d≤ 1.5 pF

Ultra small SMD plastic package

Low package height of 0.37 mm

AEC-Q101 qualified

Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

290

100

1.25

0.5

Unit

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

reverse current

T_amb= 25 °C

[1]

V_R

V_F

I_R

T_j= 25 °C

I_F= 150 mA; T_j= 25 °C

V_R= 80 V; T_j= 25 °C

µA

t_rr

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; I_R(meas)= 1 mA;

R_L= 100 Ω; T_j= 25 °C

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS16QA,147	NXP	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.29A, 100V V(RRM), Silicon
BAS16QA-Q	NEXPERIA	获取价格	High-speed switching diodeProduction
BAS16QAZ	ETC	获取价格	DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3
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BAS16RFG	TSC	获取价格	225mW SMD Switching Diode
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BAS16S	INFINEON	获取价格	Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching applications Internal (galvanic) i
BAS16S3	CYSTEKEC	获取价格	High -Speed switching diode
BAS16S62Z	TI	获取价格	0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
BAS16S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon