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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRLS4030
AUIRLS4030 PDF预览

AUIRLS4030

更新时间： 2024-11-24 12:52:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 274K
描述
HEXFETPower MOSFET

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AUIRLS4030 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：305 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：370 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：730 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRLS4030 数据手册

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PD - 96406B  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRLS4030  
Features  
AUIRLSL4030  
l
Optimized for Logic Level Drive  
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
l
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
100V  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
3.4m  
4.3m  
Ω
Ω
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
G
ID  
180A  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junctionoperatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
wide variety of other applications.  
S
S
D
D
G
G
D2Pak  
AUIRLS4030  
TO-262  
AUIRLSL4030  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
180  
130  
730  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
PD @TC = 25°C  
W
370  
2.5  
± 16  
305  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
Avalanche Current  
W/°C  
V
mJ  
A
VGS  
EAS  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
21  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
Peak Diode Recovery  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
°C/W  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
RθJA  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/17/11  
1234567...13

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AUIRLS4030 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRLS4030TRL INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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